半導体: M93S56-WMN6TP、2N6075BG選んで1組

半導体: M93S56-WMN6TP、2N6075BG選んで1組 收藏

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半導体: M93S56-WMN6TP、2N6075BG選んで1組
商品説明Remark::Overseas shipment available.  Please contact us for  more details. 1.M93S56-WMN6TP・・・・・・・・・・・・・・・・・・100個で1組
メーカ: STMicroelectronics
EEPROM 2KBIT E-EPROM
メモリ サイズ: 2 Kbit
編成: 128 x 16、 データ保持: 40 yr
最高クロック周波数: 2 MHz
最大動作電流: 2 mA
動作供給電圧: 2.5 V, 5.5 V
最低最高動作温度: - 40 C~ + 85 C
取り付け様式: SMD/SMT
インタフェース タイプ: Microwire
動作電流: 2 mA
供給電圧 - 最大: 5.5 V
供給電圧 - 最小: 2.5 V

2.2N6075BG・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・100個で1組
メーカ: ON Semiconductor
トライアック Sensitive Gate
非反復オン電流: 30 A
定格ピーク繰り返しオフ電圧 VDRM: 600 V
オフ状態リーク電流 (VDRM IDRM): 10 uA
オン状態電圧: 2 V
保持電流(Ih 最大): 15 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 2.5 V
Gate Trigger Current - Igt: 5 mA
最低最高動作温度: - 40 C ~+ 110 C
取り付け様式: Through Hole
パッケージ/ケース: TO-225-3
ブレークオーバー電流 IBO 最大値: 30 A

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