日本電気製２ＳＤ１１です。（２本セット）
ゲルマニウムＮＰＮ合金接合型構造を持ち低周波増幅・低速度スイッチング用として開発されました。
菱形のＮＥＣロゴが良い感じの当時モノです。
また電電公社認定品（認第Ｄ－１号）の肩書きも持っていました。
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■考察■
合金法はｐｎ接合を作る上で比較的簡単な方法です。
しかし実現するには使用する金属側が次の条件を満たす必要があります。
１）柔らかいこと。（ゲルマニウムに歪みを残さないため）
２）融点が低いこと。
３）あとで金属リードを付けやすいこと。
Ｎ形ゲルマニウムに対しては、インジウムという条件通りの金属がありました。
よってＰＮＰという組成が可能になり、数多くのトランジスタがリリースされました。
一方でＰ形ゲルマニウムには、インジウムのような相手が見つかりません。
アンチモン（Ｓｂ）では（１）の点で、ヒ素（Ａｓ）では（２）について不都合です。
そこで１～３の条件を満たすように、例えばアンチモンと鉛の合金を作って利用するような苦肉の策がとられていました。
こういった煩雑さがＮＰＮゲルマニウムトランジスタの行く手を阻んでいたのです。
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